202405-31 速度是NAND的1000倍!三星:基本完成8nm eMRAM内存开发 NEW 快科技5月31日消息,三星电子在日前的“AI-PIM研讨会”上表示,其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成,正按计划逐步推进制程升级。eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术,与传统的DRAM内存相比,它具有非易失性,不需要定期刷新数据,从而实现更高的能效。此外,eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍,这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。三星电子目前具备28nm eMRAM的生产能力,并已开始向智能手表等终端产品供货。根据此前报道,三星电子曾计划... Read More >