2019
04-28
04-28
三巨头最后一家:SK海力士跨向1ynm内存时代 NEW
SK海力士近日宣布,将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时,今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片,并为下代内存做好准备。SK海力士首款1ynm工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片,号称相比1xnm工艺可将尺寸缩小20%,并将功耗降低15%。此外,这颗新的芯片还具备四相时钟机制,有利于提高信号强度、维持高频稳定性,并支持感应放大控制技术(SAC),有利于减少晶体管尺寸缩小时可能出现的数据错误。有消息称,SK海力士还...
Read More >